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纳秒级写入 超万亿次擦写!中国公司实现SOT 纳秒级写入 超万亿次擦写!中国公司实现SOT

快科技12月26日消息,据媒体报道,在国际领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的发布了一项突破性的,随机存取存储器,技术进展,解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战,驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT,MRAM器件结构,显著降低了SOT,MRAM工艺流程的复杂性和难度,并从原理上提升了器件良率,该结...。

最新资讯 2024-12-26 21:02:31